●該專利針對(duì)已故的美國(guó)技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)得主PraveenChaudhari博士發(fā)明的技術(shù)頒發(fā)，涉及的技術(shù)可應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能電池、LED、薄膜晶體管(TFT)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)、太陽(yáng)能逆變器和納米設(shè)備等多個(gè)電子行業(yè)
Solar-TecticLLC（簡(jiǎn)稱ST）今天宣布，美國(guó)專利商標(biāo)局(USPTO)已向公司的多項(xiàng)技術(shù)頒發(fā)了一項(xiàng)主要專利（50多個(gè)專利申請(qǐng)范圍），其中包括在普通玻璃等廉價(jià)襯底上生長(zhǎng)單晶體、高度織構(gòu)或大粒徑半導(dǎo)體薄膜的技術(shù)。這些技術(shù)是由已故的1995年美國(guó)國(guó)家技術(shù)獎(jiǎng)得主PraveenChaudhari博士發(fā)明，可應(yīng)用于太陽(yáng)能、顯示器和LED等多個(gè)行業(yè)。
美國(guó)專利(12/774,465)“在器件上生長(zhǎng)異質(zhì)外延單晶體或大粒徑半導(dǎo)體薄膜的方法”(MethodsofGrowingHeteroepitaxialSingleCrystalorLargeGrainedSemiconductorFilmsandDevicesThereon)揭示了改良的氣液固薄膜生長(zhǎng)技術(shù)，該技術(shù)首次實(shí)現(xiàn)了采用硅、鍺和氮化鎵等各種材料在廉價(jià)襯底上生長(zhǎng)的高品質(zhì)半導(dǎo)體薄膜的低溫沉積。
具有成本效益、類似納米線的薄膜生長(zhǎng)工藝，其中包括低共熔合金，非常適合大規(guī)模工業(yè)應(yīng)用，可采用當(dāng)前用于多個(gè)行業(yè)的電子束和化學(xué)氣相沉積等普通沉積工藝實(shí)現(xiàn)。
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