IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

IGBT按緩沖區(qū)的有無來分類，緩沖區(qū)是介于P+發(fā)射區(qū)和N-飄移區(qū)之間的N+層。無緩沖區(qū)者稱為對稱型IGBT，有緩沖區(qū)者稱為非對稱型IGBT。因為結(jié)構(gòu)不同，因而特性也不同。非對稱型IGBT由于存在N+區(qū)，反向阻斷能力弱，但其正向壓降低、關(guān)斷時間短、關(guān)斷時尾部電流?。慌c此相反，對稱型IGBT具有正反向阻斷能力，其他特性卻不及非對稱型IGBT。目前商品化的IGBT單管或模塊大部分是非對稱型IGBT。

構(gòu)成本土IGBT市場需求主體主要為智能電網(wǎng)、高鐵建設、電機節(jié)能與家電節(jié)能這四大領(lǐng)域。中國在智能電網(wǎng)與高鐵建設領(lǐng)域擁有國際領(lǐng)先技術(shù)，這些領(lǐng)域?qū)GBT國產(chǎn)化需求迫切，而這種國產(chǎn)化突破更包含了IGBT技術(shù)的突破（該領(lǐng)域IGBT技術(shù)壁壘最高）。家電節(jié)能以空調(diào)、冰箱與洗衣機為主，這些領(lǐng)域中國家電企業(yè)已經(jīng)具備一定的國際競爭力，更為IGBT國產(chǎn)化掃清了認知障礙。因此，龐大的市場基礎與需求方對IGBT技術(shù)國產(chǎn)化的迫切需求共同推動中國本土企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新，加速我國IGBT國產(chǎn)化進程：

據(jù)美國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計數(shù)據(jù)：2015年12月，全球半導體產(chǎn)業(yè)銷售額為276.2億美元，較上年同期的291.3億美元下降4.4%；2015年1-12月全球半導體產(chǎn)業(yè)銷售額達到3335.2億美元，同比下降0.2%。

2007-2014年全球半導體產(chǎn)業(yè)銷售額

資料來源：美國半導體行業(yè)協(xié)會

博思數(shù)據(jù)發(fā)布的《2017-2022年中國IGBT功率模塊市場深度調(diào)研與投資前景研究報告》，2015年12月美洲半導體產(chǎn)業(yè)銷售額度為5.75億美元，同比下降14.5%，環(huán)比下降5.2%；歐洲市場銷售額為2.77億美元，同比下降7.9%，環(huán)比下降5.7%；日本市場銷售額為2.57億美元，同比下滑8.1%；環(huán)比下降為4.4%。

IGBT的工業(yè)應用包括交通控制、功率變換器、工業(yè)電機、不間斷電源、風電與太陽能設備，以及用于自動控制的變頻器。在消費方面，IGBT用于家用電器、相機和手機等。

據(jù)Infineon統(tǒng)計：2010年全球IGBT市場規(guī)模為30.06億美元，2011年全球IGBT市場規(guī)模激增至40.34億美元，增速達34%。當中Infineon公司IGBT銷售業(yè)務從2010年的6.1億美元上升至2011年的7.8億美元。2012-2013年全球IGBT市場規(guī)模下滑較為明顯，2014年全球IGBT市場規(guī)?；厣?8.45億美元，2015年全球IGBT市場規(guī)?；芈渲?6.21億美元。