在美國加利福尼亞州舊金山舉行的IEEE第64屆國際電子設(shè)備會議（IEDM2018）（12月1日至5日）上，三菱電機公司和東京大學提出了提高SiC功率半導體可靠性的新機制。這個新機制是通過確認柵極氧化物和SiC之間的界面下的硫捕獲器件電流路徑中的一些電子傳導，增加閾值電壓而不改變器件的導通電阻而實現(xiàn)的。該機制有望讓電力電子設(shè)備提高對電磁噪聲的耐受（我們已知電磁噪聲會導致系統(tǒng)故障）。
圖1．柵極氧化物／SiC界面下硫?qū)ζ骷挠绊憽?/p>
在此項研究中，三菱電機進行了SiC功率半導體器件的設(shè)計和制造，并對硫在電流路徑中捕獲電子進行了分析，而東京大學則進行了電子散射的測量。目前，人們一直認為與傳統(tǒng)的氮或磷相比，硫不是在SiC功率半導體器件中為電流傳導提供電子的合適元素。然而，三菱電機和東京大學近年來則專注于對不同性質(zhì)硫的研究，認為在SiC中的硫固有性質(zhì)使其趨向于捕獲電子。該特性的確認是提出該SiC功率半導體器件新機制的基礎(chǔ)。
圖2：SiC功率半導體器件的電流和電壓之間的關(guān)系。
在該項機制中，在SiC中適量的硫離子和分布在一定程度上阻擋了界面附近的電子，因此在不影響導通電阻的情況下可以增加閾值電壓。人們目前正積極尋求能夠提供這種電特性的合適原子來實現(xiàn)抵抗外部電磁噪聲的影響而不易發(fā)生故障的裝置。在這方面，新機制比傳統(tǒng)機制更優(yōu)異，并且可以保持低導通電阻。三菱電機表示，未來，他們的目標是繼續(xù)完善其SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiCMOSFET）的設(shè)計和規(guī)格，以進一步提高SiC功率半導體器件的可靠性。
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