三星、英特爾、IBM和愛立信正共同開發(fā)下一代芯片

時間:2023-02-02

來源:全球半導體觀察

導語:據NSF主任Sethuraman Panchanathan稱,“未來的半導體和微電子學將需要跨越材料、設備和系統(tǒng)的跨學科研究,以及學術和工業(yè)部門的全方位人才的參與?!?/p>

       阿業(yè)界消息顯示三星、英特爾、IBM和愛立信正在聯手研究和開發(fā)下一代芯片。該合作項目也獲得美國國家科學基金會(NSF)資助5000萬美元。據悉,三星、英特爾、IBM和愛立信合作領域包括設備性能、芯片和系統(tǒng)層面、可回收性、環(huán)境影響和可制造性等方面。

  據NSF主任Sethuraman Panchanathan稱,“未來的半導體和微電子學將需要跨越材料、設備和系統(tǒng)的跨學科研究,以及學術和工業(yè)部門的全方位人才的參與?!?/p>

  通過5000萬美元的資助,美國國家科學基金會旨在讓三星、愛立信、IBM 和英特爾之間的這種合作關系“告知研究需求,刺激創(chuàng)新,加速成果向市場的轉化,并為未來的勞動力做好準備”。

  這項倡議是國家科學基金會未來半導體(FuSe)團隊資助的一部分,根據該計劃,開發(fā)新工藝、材料、設備和架構的進展一直受阻于獨立開發(fā)。該計劃認為,通過共同開發(fā),在推進計算技術和降低其應用成本方面有很大的機會?!澳繕耸桥囵B(yǎng)一個來自科學和工程界的廣泛的研究者聯盟”。

  該基金會認為,整體的、共同設計的方法可以加速“高性能、穩(wěn)健、安全、緊湊、節(jié)能和成本效益高的解決方案”的開發(fā)。

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