優(yōu)納科技與其日本控股公司共同完成無(wú)掩模(Maskless)光刻(Lithography)設(shè)備的研發(fā)，成為國(guó)內(nèi)第一臺(tái)基于數(shù)字微反射（DMD）技術(shù)實(shí)現(xiàn)的無(wú)掩模光刻的設(shè)備，該設(shè)備可廣泛應(yīng)用于納米電子，平板顯示，半導(dǎo)體，MEMS，μTAS，LCD，s生物芯片，和各類(lèi)功能材料等領(lǐng)域，該設(shè)備具有以下特點(diǎn)：
1，利用DMD的縮影投射技術(shù)實(shí)現(xiàn)1每米的像素
2，實(shí)現(xiàn)薄膜透明材料的自動(dòng)對(duì)焦
3，利用灰度圖像投影可實(shí)現(xiàn)三維保護(hù)膜加工
4，采用405納米波長(zhǎng)LED光源，極大提高設(shè)備的可維護(hù)性和使用壽命
5，利用TTL（through-the-lens）對(duì)位技術(shù)實(shí)現(xiàn)高精度位置對(duì)準(zhǔn)
6，可以實(shí)現(xiàn)不同厚度（亞微米-100微米以上）的保護(hù)膜兼容
7，重復(fù)位置精度0.1微米
8，各類(lèi)光刻參數(shù)可以自由調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)各種光刻的需要，可以制作出高質(zhì)量的光變圖像,例如2D圖像,2D/3D圖像,3D圖像以及各種精密的微刻圖像和文字等
9，支持標(biāo)準(zhǔn)CAD格式，兼容DXF，GDSII等
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