AnalogDevices,Inc.(ADI)日前推出了一款專門用于9KHz至13GHz頻段的吸收式單刀雙擲(SPDT)開關(guān)HMC1118LP3DE，它具有48dB的高隔離度，在8GHz條件下運(yùn)行時(shí)僅有0.6dB的低插入損耗。HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制產(chǎn)品組合中的第一款產(chǎn)品，展現(xiàn)了硅工藝技術(shù)的固有優(yōu)勢，與傳統(tǒng)的GaAs(砷化鎵)RF開關(guān)相比具有重大明顯優(yōu)勢。這些優(yōu)勢包括：建立時(shí)間比GaAs快100倍;提供強(qiáng)大的ESD(靜電放電)保護(hù)(達(dá)到2000V，而GaAs僅為250V);能夠擴(kuò)展開關(guān)的低頻端，比GaAs低1000倍，同時(shí)保持高線性度。
HMC1118LP3DE還提供4W的業(yè)界領(lǐng)先RF功率處理能力，在熱切換工作模式下達(dá)到0.5W。它的熱切換功率處理能力超出了具有相同RF帶寬的競爭器件的兩倍，這使工程師能夠在他們的應(yīng)用和系統(tǒng)中提高RF功率，而不會(huì)產(chǎn)生器件損壞的風(fēng)險(xiǎn)。HMC1118LP3DE專為高隔離度進(jìn)行了優(yōu)化，在最大13GHz的寬工作頻率范圍內(nèi)提供極其平坦的傳遞特性，同時(shí)保持最低9kHz的高信號保真度。這些特性組合在一起，使得該開關(guān)非常適合要求苛刻的測試和測量、自動(dòng)化測試設(shè)備、國防電子產(chǎn)品、無線通信應(yīng)用，充當(dāng)傳統(tǒng)GaAs開關(guān)的更低成本替代產(chǎn)品。
HMC1118LP3DESPDT開關(guān)的主要特性
•非反射式50歐姆設(shè)計(jì)
•正控制：0/+3.3V
•低插入損耗：0.68dB(8GHz時(shí))
•高隔離度：50dB(8GHz時(shí))
•9KHz的低截止頻率
•7.5微秒的快速建立時(shí)間(對于0.05dB的最終RF輸出電平)
•業(yè)界領(lǐng)先的高功率處理能力：
•35.5dBm的通過路徑
•27dBm端接路徑和熱切換應(yīng)用
•高線性度：
•P1dB：+37dBm(典型值)
•IIP3：+61dBm(典型值)
•ESD額定值：2-KVHBM
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