該項目總投資預(yù)計高達1000億美元，是紐約州歷史上規(guī)模最大的私人投資項目。
美光表示，經(jīng)過嚴(yán)格的環(huán)境審查與必要的許可審批后，現(xiàn)已完成基地準(zhǔn)備，即將進入實質(zhì)施工階段。
該制造中心將建設(shè)多達四座工廠，致力于打造全球最先進的存儲半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，以滿足人工智能等領(lǐng)域日益增長的需求。
據(jù)了解，美光最初于2022年10月公布建廠計劃，原定2024年中開工。然而，由于長達上萬頁的環(huán)境評估報告審查流程，工期推遲了約一年半。
根據(jù)最新安排，美光計劃在3月31日前完成場地清理，隨后進行鐵路支線與濕地平整工作。預(yù)計首座工廠將于2030年投產(chǎn)，第二座工廠將在三年后啟用。至2045年第四座工廠建成時，該項目將創(chuàng)造約9000個就業(yè)崗位。
市場研究機構(gòu)Counterpoint Research的數(shù)據(jù)顯示，在2025年第三季度全球HBM市場中，美光以21%的營收份額位列第三，落后于SK海力士(57%)和三星電子(22%)。
而在包含HBM在內(nèi)的整體DRAM市場中，三家公司份額分別為SK海力士34%、三星電子33%、美光26%。若美光能按計劃將其市場份額提升至40%，則有望超越競爭對手，躍升為全球第一大存儲公司。
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